+7 (495) 663-30-39
+7 (495) 663-30-67
tech@cryosystems.ru

ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ (PECVD). CVD ПРОЦЕССЫ В ПЛАЗМЕ

Описанные ранее термические методы CVD процесса базируются на активации химической реакции привнесением термической энергии, при этом температуры осаждения пленок достаточно высокие. При использовании плазмы в процессе осаждения пленки, реакции активируются наличием плазмы и температуры осаждения гораздо ниже. При использовании плазмы происходит комбинация химических и физических процессов.

 

В современных CVD процессах используют два типа плазмы: тлеющий разряд (не является изотермической) и дуговой разряд (изотермичен).

 

Газоразрядная плазма в целом всегда неизотермична и может существовать только при наличии в ионизованном газе электрического поля, способного ускорять заряженные частицы, благодаря чему они приобретают возможность ионизовать нейтральные молекулы и атомы газа и тем самым восполнять потери носителей зарядов на телах, ограничивающих плазму.

 

В дуговом разряде высокого давления плазма изотермична, точнее — квазиизотермична, т. к., хотя температуры всех компонент равны, температура в разных участках столба дугового рязряда не одинакова.

 

Плазма тлеющего разряда генерируется в газе посредством высокочастотного электрического поля. Наиболее часто применяются следующие частоты изменения электрического поля: 2,45 МГц (микроволновая плазма) и 13,56 МГц (ВЧ плазма).

 

В области продаж установок для РЕCVD процессов мы сотрудничаем с двумя компаниями:

 

Американской компанией Firstnano – входит в группу компаний CVD Equipment Corp (www.cvdequipment.com)

И японской компанией SAMCO.

 

^ В НАЧАЛО