ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ (PECVD). CVD ПРОЦЕССЫ В ПЛАЗМЕ |
Описанные ранее термические методы CVD процесса базируются на активации химической реакции привнесением термической энергии, при этом температуры осаждения пленок достаточно высокие. При использовании плазмы в процессе осаждения пленки, реакции активируются наличием плазмы и температуры осаждения гораздо ниже. При использовании плазмы происходит комбинация химических и физических процессов.
В современных CVD процессах используют два типа плазмы: тлеющий разряд (не является изотермической) и дуговой разряд (изотермичен).
Газоразрядная плазма в целом всегда неизотермична и может существовать только при наличии в ионизованном газе электрического поля, способного ускорять заряженные частицы, благодаря чему они приобретают возможность ионизовать нейтральные молекулы и атомы газа и тем самым восполнять потери носителей зарядов на телах, ограничивающих плазму.
В дуговом разряде высокого давления плазма изотермична, точнее — квазиизотермична, т. к., хотя температуры всех компонент равны, температура в разных участках столба дугового рязряда не одинакова.
Плазма тлеющего разряда генерируется в газе посредством высокочастотного электрического поля. Наиболее часто применяются следующие частоты изменения электрического поля: 2,45 МГц (микроволновая плазма) и 13,56 МГц (ВЧ плазма).
В области продаж установок для РЕCVD процессов мы сотрудничаем с двумя компаниями:
Американской компанией Firstnano – входит в группу компаний CVD Equipment Corp (www.cvdequipment.com)
И японской компанией SAMCO.
