DRIE RIE-400iPBSAMCO
RIE-400iPB – система травления с использованием индуктивно-связанной плазмы способная генерировать плазму с очень высокой плотностью, которая позволяет травление кремния с очень высокими скоростями. Эта система работает с подложками до 100 мм и была создана как младшая модель системы RIE-800iPB (работа с подложками до 200 мм) Система RIE-400iPB имеет возможность травления и оксида кремния SiO2 минимальным временем перестроения на процесс (опция). Таким образом в одной установке пользователь получает возможность травления как Si так и SiO2.
Применение:
- Высокое качество и надежность
- Очень «гибкая» комплектация установок под требования заказчика.
- Ионный источник для очистки поверхности подложек перед напылением (опция).
- Система откачки: стандартно - криогенный и безмасляный спиральный насосы. Возможны варианты.
- Небольшая камера позволяет быстро откачивать установку, выходить на рабочий режим и осуществлять несколько циклов загрузки/выгрузки в течение дня.
- Для более быстрой смены подложек и материалов и при высоких требованиях к чистоте процесса установку можно дооснастить двумя загрузочными камерами.
- Опции: перемещение пластин в/из шлюза, охлаждение, наклон и др.
Брошюра на английском языке: RIE-400iPB.pdf
Микроструктуры созданные с применением Бош-процесса на системах травления SAMCO: открыть
Основные системы и установки:
- Травление RIE
- Травление ICP RIE
- Бош-травление (DRIE)
- XеF2-травление
- MOCVD
- PECVD
- LS-CVD
- Очистка плазмой
- Очистка УФ/озоном
Дополнительная информация:
- Технологии: Травление
- Технологии: CVD
- Технологии: Очистка (плазма и УФ)
- Элементы CVD-систем
- Расходные материалы
Запрос на интересующее оборудование Вы можете прислать нам по адресу: tech@cryosystems.ru или по факсу +7 (495) 663-3039 для отдела оборудования для микро- и наноэлектроники и мы вышлем Вам коммерческое предложение или предоставим дополнительную информацию в разумные сроки.