+7 (495) 663-30-39
+7 (495) 663-30-67
tech@cryosystems-mve.ru


DRIE RIE-400iPBSAMCO


rie-400iPB

RIE-400iPB – система травления с использованием индуктивно-связанной плазмы способная генерировать плазму с очень высокой плотностью, которая позволяет травление кремния с очень высокими скоростями. Эта система работает с подложками до 100 мм и была создана как младшая модель системы RIE-800iPB (работа с подложками до 200 мм) Система RIE-400iPB имеет возможность травления и оксида кремния SiO2 минимальным временем перестроения на процесс (опция). Таким образом в одной установке пользователь получает возможность травления как Si так и SiO2.

Применение:


  • Высокое качество и надежность
  • Очень «гибкая» комплектация установок под требования заказчика.
  • Ионный источник для очистки поверхности подложек перед напылением (опция).
  • Система откачки: стандартно - криогенный и безмасляный спиральный насосы. Возможны варианты.
  • Небольшая камера позволяет быстро откачивать установку, выходить на рабочий режим и осуществлять несколько циклов загрузки/выгрузки в течение дня.
  • Для более быстрой смены подложек и материалов и при высоких требованиях к чистоте процесса установку можно дооснастить двумя загрузочными камерами.
  • Опции: перемещение пластин в/из шлюза, охлаждение, наклон и др.

Брошюра на английском языке: RIE-400iPB.pdf

 

Микроструктуры созданные с применением Бош-процесса на системах травления SAMCO: открыть


Основные системы и установки:



samco_2.pngsamco_3.pngsamco_4.pngsamco_5.png

Дополнительная информация:




Запрос на интересующее оборудование Вы можете прислать нам по адресу: tech@cryosystems.ru или по факсу +7 (495) 663-3039 для отдела оборудования для микро- и наноэлектроники и мы вышлем Вам коммерческое предложение или предоставим дополнительную информацию в разумные сроки.

^ В НАЧАЛО