ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ (Chemical Vapor Deposition) |
Химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ) (англ. Chemical vapor deposition, CVD) — метод получения тонких пленок чаще при помощи высокотемпературных реакций разложения и/или взаимодействия газообразных прекурсоров на образце или подложке (получение пленок) или в объеме реактора/камеры (получение порошков).
Как правило, при процессе CVD подложка помещается в реактор, куда подаются пары одного или нескольких веществ (прекурсоры), которые, вступают в реакцию и/или разлагаются на поверхности или вблизи поверхности нагретого объекта/подложки, при этом на поверхности объекта в виде тонкой пленки осаждается необходимое вещество. Как правило, в ходе процесса образуется побочный газообразный продукт химических реакций, удаляемый из реактора с потоком газа.
В области продаж установок для CVD процессов мы сотрудничаем с двумя компаниями:
Американской компанией Firstnano (www.firstnano.com) – входит в группу компаний CVD Equipment Corp (www.cvdequipment.com)
и компанией planarTech (www.planartech.com) – это американская компания с производством оборудования в Южной Корее
